BGA 8U1BN6 E6327

BGA8U1BN6是一款用于LTE的前端低噪声放大器，覆盖4.0 GHz至6.0 GHz的宽频率范围。在第4章所述的应用配置中，该低噪声放大器（LNA）在4.5 mA的电流消耗下可提供13.7 dB的增益和1.6 dB的噪声系数。在旁路模式下，LNA的插入损耗为7.5 dB。BGA8U1BN6基于B7HF硅锗技术，工作电源电压范围为1.6 V至3.1 V。该器件具有多状态控制功能（关断、旁路和高增益模式）。

• 工作频率：4.0 - 6.0 GHz
• 插入功率增益：13.7 dB
• 旁路模式下的插入损耗：7.5 dB
• 低噪声系数：1.6 dB
• 低电流消耗：4.5 mA
• 多状态控制：关断、旁路和高增益模式
• 电源电压：1.6 V至3.1 V
• 超小型TSNP - 6 - 2无引脚封装（尺寸：0.7×1.1 mm²）
• B9HF硅锗技术
• RF输入和RF输出内部匹配至50欧姆
• 无需外部贴片元件
• 2kV人体模型（HBM）静电放电（ESD）保护（包括AI引脚）
• 无铅（符合RoHS标准）封装

• 使用该低噪声放大器可显著提高LTE数据速率。集成的旁路功能可增加整个系统的动态范围，并使射频前端更具灵活性。
• 在高增益模式下，LNA可提供最佳噪声系数，即使在LTE小区边缘也能确保高数据速率。在靠近基站时，可激活旁路模式以降低电流消耗。
• 适用于3GPP授权的LTE频谱（4 - 6GHz）部分