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BGA 427 H6327
采用SIEGET 25技术的硅基单片微波集成电路（MMIC）放大器
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- 描述
- 特性：可级联50Ω增益模块。 无条件稳定。 增益|S₂₁|²：1.8 GHz时为18.5 dB（应用1），1.8 GHz时为22 dB（应用2）。 P₃ₒᵤₜ：1.8 GHz时为+7 dBm（Vᴅ = 3V，Iᴅ = 9.4 mA）。 噪声系数NF：1.8 GHz时为2.2 dB。 典型器件电压Vᴅ：2V至5V。 反向隔离度>35 dB（应用2）。 无铅（符合RoHS标准）封装
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BGA 427 H6327
- 商品编号
- C534157
- 商品封装
- SOT-343-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | RF放大器 | |
| 频率 | - | |
| 增益 | 18.5dB | |
| 噪声系数 | 2.2dB | |
| 工作电压 | 2V~5V | |
| 工作电流 | 9.4mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| P1dB | - | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 输入回波损耗 | 12dB | |
| 输出回波损耗 | 9dB | |
| IP3 | 7dBm | |
| 功能特性 | - |
商品特性
- 可级联的50 Ω增益模块
- 无条件稳定
- 在1.8 GHz时，增益|S₂₁|² = 18.5 dB（应用1）；在1.8 GHz时，增益|S₂₁|² = 22 dB（应用2）；在1.8 GHz时，P₃ₒᵤₜ = +7 dBm（Vᴅ = 3V，Iᴅ = 9.4 mA）
- 在1.8 GHz时，噪声系数NF = 2.2 dB
- 典型器件电压Vᴅ为2 V至5 V
- 反向隔离度 > 35 dB（应用2）
- 无铅（符合RoHS标准）封装