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BGA 7H1BN6 E6327
硅锗低噪声放大器用于LTE
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- 描述
- BGA7H1BN6是一款用于LTE的前端低噪声放大器，其覆盖了从1805 MHz到2690 MHz的宽频范围。在第3章描述的应用配置中，该LNA提供12.3 dB增益和0.85 dB噪声系数，电流消耗为4.3 mA。在旁路模式下，LNA提供的插入损耗为-3.1 dB。BGA7H1BN6基于英飞凌科技公司的B7HF硅锗技术。它的工作电压范围是从1.5 V到3.6 V。该器件具有单线两状态控制（旁路模式和高增益模式）。可通过关闭Vcc来启用关断状态。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BGA 7H1BN6 E6327
- 商品编号
- C534171
- 商品封装
- TSNP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.25克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | RF放大器 | |
| 频率 | 1.805GHz~2.69GHz | |
| 增益 | 12.3dB | |
| 噪声系数 | 0.85dB | |
| 工作电压 | 1.5V~3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | 4.3mA | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 输入回波损耗 | 12dB | |
| 输出回波损耗 | 15dB |
商品概述
BGA7H1BN6是一款用于LTE的前端低噪声放大器，覆盖1805 MHz至2690 MHz的宽频率范围。
商品特性
- 插入功率增益：12.3 dB
- 低噪声系数：0.85 dB
- 低电流消耗：4.3 mA
- 旁路模式下的插入损耗：-3.1 dB
- 工作频率：1805 - 2690 MHz
- 双态控制：旁路模式和高增益模式
- 电源电压：1.5 V至3.6 V
- 数字开/关开关（1V逻辑高电平）
- 超小型TSNP-6-2无引脚封装（尺寸：0.7×1.1 mm²）
- B7HF硅锗技术
- RF输出内部匹配至50 Ω
- 仅需1个外部贴片元件
- 无铅（符合RoHS标准）封装
优惠活动
购买数量
(15000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个15000个/圆盘
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