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BGA 7L1BN6 E6327

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描述: 特性：插入功率增益：13.6 dB。低噪声系数：0.75 dB。低电流消耗：4.9 mA。旁路模式下插入损耗：-2.2 dB。工作频率：716-960 MHz。双态控制：旁路和高增益模式。电源电压：1.5 V至3.6 V。数字开/关开关（1V逻辑高电平）。超小TSNP-6-2无铅封装（尺寸：0.7×1.1 mm²）。B7HF硅锗技术。RF输出内部匹配至60 Ω。仅需1个外部SMD组件。无铅（符合RoHS标准）封装
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: BGA 7L1BN6 E6327
商品编号: C534173
商品封装: TSNP-6
包装方式: 编带
商品毛重: 0.034克(g)

商品参数

参数完善中

商品概述

BGA7L1BN6是一款用于LTE的前端低噪声放大器，覆盖716 MHz至960 MHz的宽频率范围。在第3章所述的应用配置中，该低噪声放大器在4.9 mA的电流消耗下可提供13.6 dB的增益和0.75 dB的噪声系数。在旁路模式下，低噪声放大器的插入损耗为 -2.2 dB。它的工作电源电压范围为1.5 V至3.6 V。

商品特性

插入功率增益：13.6 dB
低噪声系数：0.75 dB
低电流消耗：4.9 mA
旁路模式下的插入损耗： -2.2 dB
工作频率：716 - 960 MHz
双状态控制：旁路模式和高增益模式
电源电压：1.5 V至3.6 V
数字开/关开关（1V逻辑高电平）
超小型TSNP - 6 - 2无引脚封装（尺寸：0.7×1.1 mm²）
B7HF硅锗技术
RF输出内部匹配至50 Ω
仅需1个外部贴片元件
无铅（符合RoHS标准）封装

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