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BGA 5H1BN6 E6327
18dB高增益低噪声放大器，适用于LTE高频段
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- 描述
- BGA5H1BN6 是一款适用于LTE的前端低噪声放大器，覆盖从2300 MHz到2690 MHz的宽频率范围。在第4章描述的应用配置中，LNA提供18.1 dB增益和0.7 dB噪声系数，电流消耗为8.5 mA。在旁路模式下，LNA提供5.2 dB的插入损耗。BGA5H1BN6基于英飞凌科技公司的B9HF硅锗技术。它的工作电源电压范围是从1.5V到3.6V。该器件具有单线两状态控制（旁路模式和高增益模式）。通过断开VCC供电可以启用关闭状态。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BGA 5H1BN6 E6327
- 商品编号
- C534159
- 商品封装
- TSNP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.009克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
BGA5H1BN6是一款用于LTE的前端低噪声放大器，覆盖2300 MHz至2690 MHz的宽频率范围。在第4章所述的应用配置中，该低噪声放大器（LNA）在8.5 mA的电流消耗下可提供18.1 dB的增益和0.7 dB的噪声系数。在旁路模式下，LNA的插入损耗为5.2 dB。它的工作电源电压范围为1.5V至3.6V。该器件具有单线双态控制（旁路模式和高增益模式）功能。通过关闭VCC电源可启用关断状态。
商品特性
- 工作频率：2300 - 2690 MHz
- 插入功率增益：18.1 dB
- 旁路模式下的插入损耗：5.2 dB
- 低噪声系数：0.7 dB
- 低电流消耗：8.5 mA
- 多态控制：旁路模式和高增益模式
- 超小型TSNP-6-10无引脚封装
- RF输出内部匹配至50欧姆
- 外部元件数量少
- 电源电压：1.5V至3.6V
- B9HF硅锗技术
- 无铅（符合RoHS标准）封装
应用领域
- 使用该低噪声放大器可显著提高LTE数据速率。集成的旁路功能可增加整个系统的动态范围，并使RF前端更具灵活性。
- 在高增益模式下，LNA可提供最佳噪声系数，即使在LTE小区边缘也能确保高数据速率。在靠近基站时，可激活旁路模式以降低电流消耗。