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2ED2304S06F
集成自举二极管 (BSD) 的 650V 半桥栅极驱动器
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- 描述
- 2ED2304S06F 是一款 650 V 半桥栅极驱动器。其英飞凌薄膜 SOI 技术具备出色的耐用性和抗噪能力。施密特触发器逻辑输入与低至 3.3 V 的标准 CMOS 或 LSTTL 逻辑兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在通过内置互锁逻辑实现最小的驱动器交叉导通，防止直通现象。浮动通道可用于驱动高端配置下的 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT，最高工作电压可达 650 V。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- 2ED2304S06F
- 商品编号
- C533055
- 商品封装
- DSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.45克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 700mA | |
| 拉电流(IOH) | 360mA | |
| 工作电压 | 10V~17.5V | |
| 上升时间(tr) | 48ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 24ns | |
| 传播延迟 tpLH | 310ns | |
| 传播延迟 tpHL | 300ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 1.7V | |
| 输入低电平(VIL) | 1.1V | |
| 静态电流(Iq) | 300uA |
商品概述
2ED2304S06F 是一款 650 V 半桥栅极驱动器。其英飞凌薄膜 SOI 技术具备出色的耐用性和抗噪能力。施密特触发器逻辑输入与低至 3.3 V 的标准 CMOS 或 LSTTL 逻辑兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在通过内置互锁逻辑实现最小的驱动器交叉导通，防止直通现象。浮动通道可用于驱动高端配置下的 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT，最高工作电压可达 650 V。
商品特性
- 英飞凌薄膜 SOI 技术
- 最高可在 +650 V 下完全正常工作
- 浮动通道专为自举操作而设计
- 输出源/灌电流能力 +0.36 A/-0.7 A
- 集成超快速、低 RDS(ON)自举二极管
- 由于采用 SOI 技术，可耐受高达 -100 V 的负瞬态电压（脉冲宽度最长 300 ns）
- 典型传播延迟匹配为 10 ns，最大 60 ns
- 抗 dV/dt 能力 ±50 V
- 栅极驱动电源范围为 10 V 至 20 V
- 双通道均具备欠压锁定功能
- 集成带互锁功能的死区时间
- 与 3.3 V、5 V 和 15 V 输入逻辑兼容
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 电机驱动器
- 通用逆变器
- 制冷压缩机
- 电信和照明用离线 AC-DC 电源中的半桥和全桥转换器
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/圆盘
总价金额：
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