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2N7002 H6327
1个N沟道 耐压:60V
- 描述
- 特性：N沟道增强模式。 逻辑电平。 雪崩额定。 快速开关。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- 2N7002 H6327
- 商品编号
- C533095
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 400pC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 13pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 4.1pF |
交货周期
订货10-15个工作日购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 4710 个)个
起订量：4710 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交8单