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2EDL05N06PF

集成自举二极管（BSD）的600 V半桥栅极驱动器

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描述: 2ED05 是一款 600V 半桥栅极驱动器系列产品。其英飞凌薄膜绝缘体上硅（thin-film-SOI）技术具备出色的耐用性和抗噪能力。施密特触发器逻辑输入与低至 3V 的标准 CMOS 或 LSTTL 逻辑兼容
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: 2EDL05N06PF
商品编号: C533066
商品封装: DSO-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.172克(g)

商品参数

商品概述

2ED05是一款600V半桥栅极驱动器系列产品。英飞凌的薄膜SOI技术赋予其出色的耐用性和抗噪能力。施密特触发器逻辑输入与低至3.3V的标准CMOS或LSTTL逻辑兼容。输出驱动器具备高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中的N沟道功率MOSFET或IGBT，其工作电压最高可达600V。此外，离线钳位功能可在IC未供电时，对因浮栅条件导致的寄生导通提供固有保护。

商品特性

英飞凌薄膜SOI技术
最高可在+600V下完全正常工作
浮动通道专为自举操作而设计
输出源/灌电流能力为+0.36A / -0.7A
集成超快速、低RDS(ON)自举二极管
基于SOI技术，可耐受高达-100V的负瞬态电压（脉冲宽度最长为300ns）
典型传播延迟匹配为10ns，最大为60ns
dV/dt抗扰度为±50V
栅极驱动电源范围为10V至20V
双通道均具备欠压锁定功能
与3.3V、5V和15V输入逻辑兼容
符合RoHS标准

应用领域

电机驱动器
通用逆变器
制冷压缩机、家用电器
电信和照明用离线AC-DC电源中的半桥和全桥转换器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET
	灌电流(IOL)	700mA
	拉电流(IOH)	360mA
	工作电压	10V~17.5V
	上升时间(tr)	48ns
	下降时间(tf)	24ns

	属性	参数值
	传播延迟 tpLH	310ns
	传播延迟 tpHL	300ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+105℃
	输入高电平(VIH)	1.7V~2.4V
	输入低电平(VIL)	700mV~1.1V
	静态电流(Iq)	300uA