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2ED28073J06F

600V半桥栅极驱动器，带集成自举二极管

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描述: 是高电压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有依赖的高端和低端参考输出通道。专有 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V 逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达 600V 的 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT。
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: 2ED28073J06F
商品编号: C533056
商品封装: DSO-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.169克(g)

商品参数

商品概述

2ED28073J06F是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，其工作电压最高可达600V。

商品特性

具有70V的负VS瞬态抗扰度，抗dV/dt干扰
较低的di/dt栅极驱动器，具备更好的抗噪性能
浮动通道专为自举操作而设计
工作电压（VS节点）最高可达+600V
最大自举电压（VB节点）为+625V
集成自举二极管
集成带内置死区时间的直通保护
输入集成短脉冲/噪声抑制滤波器
高端和低端均有独立的欠压锁定功能
带迟滞的施密特触发器输入
与3.3V、5V和15V输入逻辑兼容
最大电源电压为25V
输出与输入同相
适用于梯形和正弦电机控制
采用小尺寸DSO - 8封装
符合RoHS标准
最大延迟匹配 = 50ns
死区时间（典型值） = 300ns
ton/toff（典型值） = 530ns/530ns

应用领域

在各种电机控制应用中驱动IGBT、增强型N沟道MOSFET
制冷压缩机
空调风扇
洗衣机和洗碗机水泵
通用逆变器
微型/小型逆变器驱动器

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET；IGBT
	灌电流(IOL)	80mA
	拉电流(IOH)	20mA
	工作电压	10V~20V
	上升时间(tr)	1.5us
	下降时间(tf)	225ns

	属性	参数值
	传播延迟 tpLH	530ns
	传播延迟 tpHL	530ns
	特性	欠压保护(UVP)；短路保护(SCP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	输入高电平(VIH)	2.2V
	输入低电平(VIL)	800mV
	静态电流(Iq)	1.8mA