2ED2184S06F

2ED2184(4)S06F(J)是一款半桥高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。该器件具有出色的耐用性和抗噪性，在VS引脚（VCC = 15 V）上出现瞬态电压时，能够在高达 -11 VDC的负电压（VS引脚）下保持工作逻辑。器件中不存在任何寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低支持3.3 V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度减少驱动器的交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET、SiC MOSFET或IGBT，其工作电压最高可达650 V。

• 英飞凌独特的薄膜绝缘体上硅（SOI）技术
• 100 V的负VS瞬态抗扰度
• 浮动通道专为自举操作而设计
• 工作电压（VS节点）最高可达 +650 V
• 最大自举电压（VB节点）为 +675 V
• 集成超快速、低电阻自举二极管
• 集成直通保护和内置死区时间逻辑，VS引脚在低至 -11 V时仍可工作
• 输入负电压容差为 -5 V
• 两个通道均有独立的欠压锁定功能
• 具有迟滞功能的施密特触发器输入，兼容3.3 V、5 V和15 V输入逻辑
• 最大电源电压为25 V
• 提供DSO - 8和DSO - 14两种封装选项
• 高低压引脚分离，以实现最大爬电距离和电气间隙（2ED21844S06J版本）
• 2ED21844S06J版本具有独立的逻辑地和功率地
• 关断输入可关闭两个通道
• 符合RoHS标准

• 在各种电力电子应用中驱动IGBT和增强型N沟道MOSFET
• 驱动采用TrenchStop™ IGBT6或600 V EasyPACK™模块的电机驱动器和通用逆变器
• 驱动采用RCD系列IGBT、TRENCHSTOP™系列IGBT或等效功率级的制冷压缩机、电磁炉和其他主要家用电器
• 驱动采用低压OptiMOS™ MOSFET或等效功率级的电池供电小型家用电器，如电动工具、吸尘器
• 用于工业开关电源的离线AC - DC电源中的图腾柱、半桥和全桥转换器，采用高压CoolMOS™超结MOSFET或TRENCHSTOP™ H3和WR5 IGBT系列
• 采用CoolMOS™超结MOSFET的高功率LED和HID照明
• 电动汽车（EV）充电站和电池管理系统
• 在上述应用中驱动650 V SiC MOSFET