- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
QX3062-CuH-DE
由GaAs红外发光二极管和单晶硅芯片过零相位光电双向晶闸管组成的可控硅光耦，符合加强绝缘和安规标准
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- 描述
- DIP6封装过零可控硅光耦，5000V隔离电压，VDRM:600V IFT:10mA
- 品牌名称
- NQUNXIN(群芯微电子)
- 商品型号
- QX3062-CuH-DE
- 商品编号
- C52164442
- 商品封装
- DIP-6
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 可控硅输出光耦 | |
| 通道数 | 1 | |
| 过零功能 | 有 | |
| 输入类型 | DC | |
| 可控硅类型 | 双向可控硅 | |
| 负载电压 | 600V | |
| 输出电流(It(rms)) | 100mA | |
| 正向压降(Vf) | 1.23V | |
| 正向电流 | 60mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 静态dv/dt | 1000V/us | |
| 隔离电压(Vrms) | 5kV | |
| 耗散功率(Pd) | 330mW | |
| 工作温度 | -55℃~+110℃ | |
| 端子数 | 6 | |
| 保持电流(Ih) | 0.28mA | |
| 浪涌电流 | 1A | |
| 功能特性 | - |
商品概述
QX303X、QX304X、QX306X系列器件是由一个GaAs红外发光二极管和一个基于单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。
商品特性
- 峰值击穿电压：250V（QX303X）；400V（QX304X）；600V（QX306X）
- 高输入-输出隔离电压（VISO = 5000 Vrms）
- 工作温度范围：-55°C ~ 110°C
- 符合加强绝缘标准
- 符合安规标准：UL 1577，VDE DIN EN60747-5-5（VDE 0884-5），CQC11-471543-2022
应用领域
- 开关电源
- 智能电表
- 工业控制
- 测量仪器
- 办公设备