H5AG46DXNDX117N

16Gb DDR4 SDRAM

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品牌名称: HYNIX(海力士)
商品型号: H5AG46DXNDX117N
商品编号: C52145344
商品封装: FBGA-96(8x13)
包装方式: 托盘
商品毛重: 1.6克(g)

商品参数

	属性	参数值
	工作电流	72mA
	刷新电流	3.5mA
	工作温度	0℃~+95℃
	功能特性	写入均衡功能；自动自刷新；CRC功能；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；动态片上端接；数据掩码功能

商品概述

H5AG44DXNDX116、H5AG48DXNDX116、H5AG46DXNDX117 是一款 16Gb CMOS 第四代双倍数据速率同步动态随机存取存储器，非常适合需要大存储密度和高带宽的主存储器应用。该 16Gb DDR4 SDRAM 提供完全同步的操作，参考时钟的上升沿和下降沿。所有地址和控制输入在时钟 CK 的上升沿锁存，而数据、数据选通和写数据掩码输入则在时钟的上升沿和下降沿采样。数据路径内部采用流水线设计和 8 位预取，以实现极高的带宽。

商品特性

VDD=VDDQ=1.2V +/- 0.06V
全差分时钟输入操作
差分数据选通
片上延迟锁相环将数据、数据选通及其反相信号与时钟边沿对齐
数据掩码在数据选通的上升沿和下降沿屏蔽写入数据
除数据、数据选通和数据掩码外，所有地址和控制输入均在时钟上升沿锁存
可编程突发长度 4/8，支持半字节顺序和交错模式
突发长度动态切换
16个存储体
平均刷新周期：外壳温度 0°C ~ 95°C 时为 7.8 μs 和 3.9 μs
JEDEC 标准 78 球 FBGA 封装
通过模式寄存器选择驱动强度
支持动态片上终端电阻
通过 ODT 引脚切换两种终端状态
支持异步复位引脚
支持 ZQ 校准
支持终端数据选通
支持写入均衡
8 位预取
支持内部数据参考电压电平生成
支持写入循环冗余校验
支持最大省电模式
支持温度控制自动刷新模式
支持低功耗自动自刷新模式
支持精细粒度刷新
支持按动态随机存取存储器寻址
支持降速模式
支持可编程读/写前导码
支持自刷新中止
支持命令/地址奇偶校验模式
应用存储体分组，支持同一或不同存储体组访问的列地址选通延迟
支持数据总线反转
支持存储器内建自测试与后封装修复

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	DDR SDRAM
	存储器构架(格式)	DDR4 SDRAM
	时钟频率(fc)	1.6GHz
	存储容量	16Gbit
	工作电压	1.14V~1.26V