H5AG36EXNDX017N

H5AG34EXNDX026N、H5AG38EXNDX026N、H5AG36EXNDX017N、H5AG38EXNJX026N、H5AG36EXNJX - 017N是一款8Gb的CMOS双倍数据速率IV（DDR4）同步动态随机存取存储器（SDRAM），非常适合需要大存储密度和高带宽的主内存应用。SK海力士8Gb DDR4 SDRAM提供完全同步操作，参考时钟的上升沿和下降沿。所有地址和控制输入在CK的上升沿（CK的下降沿）锁存，数据、数据选通和写数据掩码输入在其上升沿和下降沿采样。数据路径采用内部流水线和8位预取，以实现非常高的带宽。

• VDD = VDDQ = 1.2V ± 0.06V
• 全差分时钟输入（CK、CK）操作
• 差分数据选通（DQS、DQS）
• 片上DLL使DQ、DQS和DQS转换与CK转换对齐
• DM在数据选通的上升沿和下降沿屏蔽写入数据
• 除数据、数据选通和数据掩码外，所有地址和控制输入在时钟的上升沿锁存
• 可编程突发长度4/8，支持半字节顺序和交错模式
• 突发长度可动态切换
• 16个存储体
• 平均刷新周期（温度范围0℃ ~ 95℃）：
  • 在0℃ ~ 85℃时为7.8µs
  • 在85℃ ~ 95℃时为3.9µs
• JEDEC标准78球FBGA（x4/x8）、96球FBGA（x16）
• 驱动强度由MRS选择
• 支持动态片上终端
• 可通过ODT引脚切换RTT_PARK和RTT_NOM两种终端状态
• 支持异步复位引脚
• 支持ZQ校准
• 支持TDQS（终端数据选通）（仅x8）
• 支持写电平校准
• 8位预取
• 本产品符合RoHS指令
• 可进行内部Vref DQ电平生成
• 所有速度等级均支持写CRC
• 支持最大节能模式
• 支持TCAR（温度控制自动刷新）模式
• 支持LP ASR（低功耗自动自刷新）模式
• 支持精细粒度刷新
• 支持每个DRAM可寻址性
• 支持降速模式（1/2速率、1/4速率）
• 支持读写可编程前导码
• 支持自刷新中止
• 支持CA奇偶校验（命令/地址奇偶校验）模式
• 应用了存储体分组，同一或不同存储体组访问的存储体之间的CAS到CAS延迟（tCCD_L、tCCD_S）可用
• 支持DBI（数据总线反转）（x8）
• 支持MBIST PPR