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DOS21867
高压高速半桥MOSFET/IGBT栅极驱动器，采用抗闩锁CMOS技术，输入逻辑兼容
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- 描述
- 高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具备独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。低VCC工作特性使其适用于电池供电的应用场景
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOS21867
- 商品编号
- C52140035
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 4A | |
| 拉电流(IOH) | 4A | |
| 工作电压 | 700V | |
| 上升时间(tr) | 15ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 6ns | |
| 传播延迟 tpLH | 150ns | |
| 传播延迟 tpHL | 250ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 1V~2.5V | |
| 输入低电平(VIL) | 800mV | |
| 静态电流(Iq) | 100uA | |
| 功能特性 | 交错导通保护 |
商品概述
DOS21867是一款高压高速功率MOSFET驱动器，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。其专有的高压集成电路和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出，低至3.3V逻辑电平。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲级设计，旨在最小化驱动器的交叉导通。浮空通道可用于驱动高侧配置中的N沟道功率MOSFET，其工作电压高达700V。
商品特性
- 专为自举操作设计的浮空通道
- 完全工作电压高达+700V
- 兼容3.3V、5V和15V输入逻辑
- dV/dt噪声抗扰度±50 V/nsec
- 允许的负Vs能力：-9V
- 栅极驱动电源电压范围从6.8V至20V
- 双通道欠压锁定
- 导通/关断传播延迟
- 双通道匹配的传播延迟
- 典型输出源/灌电流能力：4A/4A
应用领域
- 电机控制
- 空调/洗衣机
- 通用逆变器
- 微型/迷你逆变器驱动器