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DOS2103

高压高速功率MOSFET/IGBT栅极驱动器，采用HViC和CMOS技术，逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出

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描述: 高压、高速功率 MOSFET 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基 TTL（LSTTL）输出兼容，低至3.3V
品牌名称: DOINGTER(杜因特)
商品型号: DOS2103
商品编号: C52140043
商品封装: SOIC-8
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	下降时间(tf)	35ns
	传播延迟 tpLH	650ns
	传播延迟 tpHL	200ns
	工作温度	-40℃~+125℃
	输入高电平(VIH)	1V~2.5V
	输入低电平(VIL)	800mV
	静态电流(Iq)	120uA
	功能特性	交错导通保护；死区时间控制

商品概述

DOS2103是一款高压高速功率MOSFET驱动器，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。其采用专有的HVIC和抗锁存CMOS技术，实现了坚固的单片结构。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出，最低可至3.3V逻辑电平。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲级设计，旨在最小化驱动器交叉导通。浮空通道可用于驱动高侧配置中的N沟道功率MOSFET，工作电压高达+700V。

商品特性

专为自举操作设计的浮空通道
完全工作电压高达+700V
兼容3.3V、5V和15V逻辑电平
dV/dt抗噪能力为±50 V/ns
允许的负VS电压能力为-9V
集成VCC欠压锁定电路，欠压复位阈值为8.9V，欠压设定阈值为8.2V
传输特性：开启/关断传播延迟Ton/Toff = 650ns / 130ns，延迟匹配 = 50 ns
交叉导通预防逻辑，死区时间为520ns
宽工作温度范围：-40°C ~125°C
输出源/灌电流能力为300mA/600mA
符合RoHS标准的SOIC8封装

应用领域

电机控制
空调/洗衣机
通用逆变器
微型/迷你逆变器驱动器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET；IGBT
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	600mA
	拉电流(IOH)	300mA
	工作电压	700V
	上升时间(tr)	75ns