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DOS2003

高压高速半桥MOSFET/IGBT栅极驱动器,采用HVIC和CMOS技术,具备抗dV/dt噪声、防交叉导通等特性

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描述
250V,半桥式驱动器,门驱动供应电压范围:10V to 20V
商品型号
DOS2003
商品编号
C52140044
商品封装
SOIC-8​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置半桥
负载类型MOSFET;IGBT
驱动通道数2
灌电流(IOL)600mA
拉电流(IOH)290mA
工作电压250V
上升时间(tr)70ns
属性参数值
下降时间(tf)30ns
传播延迟 tpLH680ns
传播延迟 tpHL220ns
工作温度-40℃~+125℃
输入高电平(VIH)1V~2.5V
输入低电平(VIL)800mV
静态电流(Iq)120uA
功能特性内置自举二极管;交错导通保护;死区时间控制

商品概述

DOS2003是一款高压、高速功率MOSFET驱动器,具备独立的高侧和低侧参考输出通道。其采用专有的高压集成电路和抗锁存CMOS技术,实现了坚固的单片结构。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出,低至3.3V逻辑电平。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲级设计,旨在最小化驱动器的交叉导通。浮动通道可用于驱动高侧配置中的N沟道功率MOSFET,其工作电压高达250V。

商品特性

  • 专为自举操作设计的浮动通道
  • 完全工作电压高达+250V
  • 兼容3.3V、5V和15V输入逻辑
  • dV/dt噪声抗扰度达+50V/ns
  • 允许的负Vs能力:-9V
  • 栅极驱动电源电压范围:10V至20V
  • 交叉导通预防逻辑
  • 死区时间520ns
  • 传播延迟
  • 导通/关断时间=680ns/150ns
  • 宽广的工作温度范围:-40℃~125℃
  • 典型输出源电流/灌电流能力:290mA/600mA
  • 集成自举二极管
  • 符合RoSH标准

应用领域

  • 电机控制
  • 空调/洗衣机
  • 通用变频器
  • 微型/小型逆变器驱动器

数据手册PDF