温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DOS27517
单通道低侧非反相门驱动器
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 单通道高速低侧栅极驱动器器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 和绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 电源开关。 采用的设计方案可最大程度减少击穿电流，从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟（典型值为13ns）。
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOS27517
- 商品编号
- C52140037
- 商品封装
- SOT-23-5
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 低边 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 1 | |
| 灌电流(IOL) | 4A | |
| 拉电流(IOH) | 4A | |
| 工作电压 | 5V~25V | |
| 上升时间(tr) | 10ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 10ns | |
| 传播延迟 tpLH | 30ns | |
| 传播延迟 tpHL | 60ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 1V~2.5V | |
| 输入低电平(VIL) | 800mV | |
| 静态电流(Iq) | 180uA | |
| 功能特性 | 使能关断 |
商品概述
DOS27517器件是一款低电压功率MOSFET和IGBT同相栅极驱动器。其专有的抗闩锁CMOS技术支持高鲁棒性的单芯片集成架构。DOS27517的逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或TTL逻辑输出电平。输出驱动器具有带滞回和输出电流缓冲级的内部欠压锁定电路。DOS27517设计用于5V至25V的宽VCC范围和-40℃到125℃的宽温度范围工作。
商品特性
- 双输入设计（可选择反相或同相驱动器配置）——未使用的输入引脚可用于使能或禁用功能
- 兼容TTL和CMOS的输入逻辑阈值
- 5V至25V单电源范围
- -40℃到125℃的工作温度范围
- 欠压锁定功能
- 欠压锁定开启阈值4.0V
- 欠压锁定关断阈值3.9V
- 开启/关断延迟：Ton/Toff = 30ns/30ns
- 4A峰值源极和灌电流驱动能力
- SOT-23-5封装
应用领域
- 开关模式电源
- 通用栅极驱动器
- 驱动MOSFET和IGBT