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DOS27517

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描述
单通道高速低侧栅极驱动器器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 和绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 电源开关。 采用的设计方案可最大程度减少击穿电流,从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲,同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟(典型值为13ns)。
商品型号
DOS27517
商品编号
C52140037
商品封装
SOT-23-5​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置低边
负载类型MOSFET;IGBT
驱动通道数1
灌电流(IOL)4A
拉电流(IOH)4A
工作电压5V~25V
上升时间(tr)10ns
属性参数值
下降时间(tf)10ns
传播延迟 tpLH30ns
传播延迟 tpHL60ns
工作温度-40℃~+125℃
输入高电平(VIH)1V~2.5V
输入低电平(VIL)800mV
静态电流(Iq)180uA

数据手册PDF