LSIC2SD065C08A-HXY

LSIC2SD065C08A-HXY

描述

该碳化硅二极管采用独立式结构，支持8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），适用于较高功率密度的电源系统。其正向压降（VF）为1.4V，在导通状态下具备较低的功率损耗。基于碳化硅材料，该器件具有优异的开关特性，反向恢复时间极短，反向恢复电荷小，有效降低高频开关过程中的能量损耗。该性能特点使其适用于高效率AC-DC电源、连续导通模式的功率因数校正（PFC）电路、DC-DC转换模块以及对热性能和空间布局要求较高的紧凑型电源设计。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

LSIC2SD065C08A-HXY

商品编号

C51896242

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.394克(g)