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SI2304
SI2304
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- 描述
- 类型 1个N沟道；漏源电压(Vdss) 30V；连续漏极电流(Id) 3.3A；导通电阻(RDS(on)) 0.049Ω@10V,3.2A；耗散功率(Pd) 350mW；阈值电压(Vgs(th)) 1.2V；输入电容(Ciss@Vds) 235pF@15V；反向传输电容(Crss) 17pF@15V；
- 品牌名称
- LGE(鲁光)
- 商品型号
- SI2304
- 商品编号
- C51892138
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
UniFET™ MOSFET 是飞兆半导体公司基于平面条纹和双极型金属氧化物半导体技术的高电压 MOSFET 系列产品。该 MOSFET 旨在降低导通电阻，并提供更出色的开关性能和更高的雪崩能量强度。该器件系列适用于诸如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX 和电子灯镇流器等开关电源转换应用。
商品特性
- VDS = 30V, ID = 3.6A
- RDS(ON) < 73 m Ω(VGS = 4.5 V 时)
- RDS(ON) < 58 m Ω(VGS = 10 V 时)
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 电源管理