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SI2304
SI2304
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- 描述
- 类型 1个N沟道；漏源电压(Vdss) 30V；连续漏极电流(Id) 3.3A；导通电阻(RDS(on)) 0.049Ω@10V,3.2A；耗散功率(Pd) 350mW；阈值电压(Vgs(th)) 1.2V；输入电容(Ciss@Vds) 235pF@15V；反向传输电容(Crss) 17pF@15V；
- 品牌名称
- LGE(鲁光)
- 商品型号
- SI2304
- 商品编号
- C51892138
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 47mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 230pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 40pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
2304采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON) 和低栅极电荷。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS = 30V, ID = 3.6A
- RDS(ON) < 73 m Ω(VGS = 4.5 V 时)
- RDS(ON) < 58 m Ω(VGS = 10 V 时)
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 电源管理