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AO3416

20V/6.5A N通道高级功率MOSFET

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描述: 类型 1个N沟道；漏源电压(Vdss) 20V；连续漏极电流(Id) 6.5A；导通电阻(RDS(on)) 16.2mΩ@4.5V,4A；耗散功率(Pd) 1.56W；阈值电压(Vgs(th)) 0.7V；输入电容(Ciss@Vds) 450pF@10V；反向传输电容(Crss) 80pF@10V；
品牌名称: LGE(鲁光)
商品型号: AO3416
商品编号: C51892141
商品封装: SOT-23
包装方式: 编带
商品毛重: 0.031克(g)

商品参数

商品概述

UniFET™ MOSFET 是一款基于平面条纹和双极结型晶体管（DMOS）技术的高电压 MOSFET 系列。该 MOSFET 旨在降低导通电阻，并提供更出色的开关性能和更高的雪崩能量强度。该器件系列适用于诸如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX 和电子灯镇流器等开关电源转换应用。

商品特性

在 VGS = 4.5V 时,RDS(on) 较低
3.3V 逻辑电平控制
N 沟道 SOT23 封装
HMB 静电放电保护 2KV
无铅,符合 RoHS 标准

应用领域

直流-直流转换器
电池供电便携式设备的电源管理
便携式设备的低端负载开关和充电开关
开关电路
高速线路驱动器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	700mV
	栅极电荷量(Qg)	8.3nC@4.5V
	输入电容(Ciss)	450pF
	反向传输电容(Crss)	80pF
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	108pF

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	20V
	连续漏极电流(Id)	6.5A
	导通电阻(RDS(on))	16.2mΩ@4.5V；20mΩ@2.5V；17.3mΩ@3.3V
	耗散功率(Pd)	1.56W