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AO3416
20V/6.5A N通道高级功率MOSFET
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- 描述
- 类型 1个N沟道；漏源电压(Vdss) 20V；连续漏极电流(Id) 6.5A；导通电阻(RDS(on)) 16.2mΩ@4.5V,4A；耗散功率(Pd) 1.56W；阈值电压(Vgs(th)) 0.7V；输入电容(Ciss@Vds) 450pF@10V；反向传输电容(Crss) 80pF@10V；
- 品牌名称
- LGE(鲁光)
- 商品型号
- AO3416
- 商品编号
- C51892141
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16.2mΩ@4.5V；20mΩ@2.5V；17.3mΩ@3.3V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.56W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 450pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 108pF |
商品概述
UniFET™ MOSFET 是一款基于平面条纹和双极结型晶体管（DMOS）技术的高电压 MOSFET 系列。该 MOSFET 旨在降低导通电阻，并提供更出色的开关性能和更高的雪崩能量强度。该器件系列适用于诸如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX 和电子灯镇流器等开关电源转换应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30 V，漏极电流（ID） = 45 A，在栅源电压（VGS） = 10 V时，导通态漏源电阻（RDS(ON)） < 8 mΩ（典型值：6.2 mΩ）
- 低栅极电荷。
- 有环保型器件可供选择。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通态漏源电阻（RDS(ON)）。
- 采用散热性能良好的封装。
- 湿敏等级3级（MSL3）