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BSS84DW
-50V/-0.18A P沟道小信号MOSFET
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- 描述
- 类型 1个P沟道；漏源电压(Vdss) 50V；连续漏极电流(Id) 0.18A；导通电阻(RDS(on)) 2.6Ω@10V,0.15A；耗散功率(Pd) 0.3W；阈值电压(Vgs(th)) 2.0V；输入电容(Ciss@Vds) 25.2pF@25V；反向传输电容(Crss) 1.4pF@25V；
- 品牌名称
- LGE(鲁光)
- 商品型号
- BSS84DW
- 商品编号
- C51892142
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.6Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 530pC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 25.2pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.4pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 5.9pF |
商品特性
- 在 VGS = -10V 时具有低 RDS(on)
- -5V 逻辑电平控制
- P 沟道 SOT363 封装
- 静电放电保护
- 无铅,符合 RoHS 标准
应用领域
- 高端负载开关
- 开关电路
- 高速线路驱动器
- 通用接口开关
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