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BSS139
50V/0.2A N沟道高级功率MOSFET
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- 描述
- 类型 1个N沟道；漏源电压(Vdss) 50V；连续漏极电流(Id) 200mA；导通电阻(RDS(on)) 1.3Ω@10V,0.22A；耗散功率(Pd) 225mW；阈值电压(Vgs(th)) 1.0V；输入电容(Ciss@Vds) 22.8pF@25V；反向传输电容(Crss) 2.9pF@25V；
- 品牌名称
- LGE(鲁光)
- 商品型号
- BSS139
- 商品编号
- C51892143
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3Ω@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 910pC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 22.8pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.9pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.5pF |
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