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SI2333
P沟道 12V 4.2A
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- 描述
- 类型 1个P沟道；漏源电压(Vdss) 12V；连续漏极电流(Id) 4.2A；导通电阻(RDS(on)) 32mΩ@4.5V,4A；耗散功率(Pd) 1.25W；阈值电压(Vgs(th)) 0.6V；输入电容(Ciss@Vds) 760pF@10V；反向传输电容(Crss) 76pF@10V；
- 品牌名称
- LGE(鲁光)
- 商品型号
- SI2333
- 商品编号
- C51892139
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@4.5V；36mΩ@3.3V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 760pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 76pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 94pF |
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