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2N7002KQ-13实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

2N7002KQ-13

1个N沟道 耐压:60V 电流:380mA

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描述
该MOSFET旨在最小化导通电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
2N7002KQ-13
商品编号
C526325
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.053克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)380mA
导通电阻(RDS(on))2Ω@10V
耗散功率(Pd)370mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)300pC@10V
输入电容(Ciss)50pF@25V
反向传输电容(Crss)5pF@25V
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)4.2pF

数据手册PDF

优惠活动

  • 3.7

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    (10000个/圆盘,最小起订量 10 个)
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