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2N7002TQ-7-F
1个N沟道 耐压:60V 电流:115mA
- 描述
- 新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- 2N7002TQ-7-F
- 商品编号
- C526327
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 115mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 输入电容(Ciss) | 22pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 11pF |
商品概述
这款新一代 MOSFET 旨在最大程度降低导通电阻RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 低栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 超小型表面贴装封装
- 完全无铅且符合 RoHS 标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
- 2N7002TQ 适用于需要特定变更控制的汽车应用;该器件符合 AEC-Q101 标准,具备生产件批准程序(PPAP)能力,并在通过 IATF 16949 认证的工厂生产。
应用领域
-DC-DC 转换器-电源管理功能-电池供电系统和固态继电器-驱动器:继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器、晶体管等