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BSS138-13-F
1个N沟道 耐压:50V 电流:200mA
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- 描述
- 特性：低导通电阻。 低栅极阈值电压。 低输入电容。 快速开关速度。 低输入/输出泄漏。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用，该产品符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，并在通过IATF 16949认证的工厂生产
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- BSS138-13-F
- 商品编号
- C526482
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.041克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@10V,0.22A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低导通电阻
- 低栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 完全无铅，完全符合 RoHS 标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- BSS138Q 适用于需要特定变更控制的汽车应用；该器件符合 AEC-Q101 标准，具备生产件批准程序（PPAP）能力，且在通过 IATF 16949 认证的工厂生产。