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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 380mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 370mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 300pC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款 MOSFET 的设计旨在最小化导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 静电放电 (ESD) 防护高达 2kV
- 完全无铅且符合 RoHS 标准
- 无卤和无锑,“绿色”器件
- 2N7002KQ 适用于需要特定变更控制的汽车应用;它通过了 AEC-Q101 认证,具备生产件批准程序 (PPAP) 能力,并在通过 IATF 16949 认证的工厂生产。
应用领域
-电机控制-电源管理功能-背光照明