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1N5408G-T
1kV 3A
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- 描述
- 特性：玻璃钝化芯片结构。 高电流能力和低正向压降。 浪涌过载额定值达125A峰值。 无铅表面处理；符合RoHS标准
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- 1N5408G-T
- 商品编号
- C526212
- 商品封装
- DO-201AD
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.55克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 通用二极管 | |
| 二极管配置 | - | |
| 正向压降(Vf) | 1.1V@3A | |
| 直流反向耐压(Vr) | 1kV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 整流电流 | 3A | |
| 反向电流(Ir) | 5uA@1kV | |
| 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) | 125A | |
| 工作结温范围 | -65℃~+150℃ |
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