温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
2DC4617QLP-7
NPN 100mA 50V
- 描述
- 特性：BVCEO > 50V。 Ic = 100mA 高集电极电流。 PD = 1000mW 功耗。 0.60mm² 封装尺寸，比 SOT23 小 13 倍。 0.5mm 封装高度，减少板外轮廓。 互补 PNP 型 2DA1774QLP。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准，可靠性高
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- 2DC4617QLP-7
- 商品编号
- C526217
- 商品封装
- DFN-3(1x0.6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 120@1.0mA,6.0V | |
| 特征频率(fT) | 100MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 200mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |