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1N5819-T
电压:40V 电流:1A
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- 描述
- 特性：保护环芯片结构，用于瞬态保护。 低功耗、高效率。 高浪涌能力。 高电流能力和低正向压降。 适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用。 无铅涂层，符合 RoHS 标准
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- 1N5819-T
- 商品编号
- C526214
- 商品封装
- DO-41
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.448克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 肖特基二极管 | |
| 二极管配置 | 1个独立式 | |
| 正向压降(Vf) | 900mV@3A | |
| 直流反向耐压(Vr) | 40V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 整流电流 | 1A | |
| 反向电流(Ir) | 1mA@40V | |
| 工作结温范围 | -65℃~+125℃ | |
| 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) | 25A |
商品特性
- 采用保护环芯片结构实现瞬态保护
- 低功耗、高效率
- 高浪涌能力
- 高电流能力和低正向压降
- 适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用
- 无铅表面处理；符合RoHS标准
- 封装形式：DO - 41（塑料）
- 封装材料：模制塑料，UL阻燃等级94V - 0
- 湿度敏感度：符合J - STD - 020的1级标准
- 引脚：表面处理为镀锡，引脚可焊性符合MIL - STD - 202方法208⑥3
- 极性：阴极带标识
- 重量：约0.3克