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HSSN2N7002K实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

HSSN2N7002K

N沟道60V快速开关MOSFET

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描述
产品材料符合RoHS要求且无卤素。具备ESD保护,低RDS(on)。适用于低侧负载开关、电平转换电路,是DC-DC转换器,可用于便携式应用,如DSC、PDA、手机等。
品牌名称
HUASHUO(华朔)
商品型号
HSSN2N7002K
商品编号
C51025821
商品封装
SOT-323​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)300mA
导通电阻(RDS(on))1.8Ω@10V
耗散功率(Pd)300mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.3V
栅极电荷量(Qg)500pC@10V
输入电容(Ciss)18pF
反向传输电容(Crss)4.2pF
工作温度-40℃~+150℃
输出电容(Coss)8pF

商品概述

产品材料符合RoHS要求且无卤素。具备ESD保护。导通电阻(RDS(on))低。

商品特性

  • 低端负载开关
  • 电平转换电路
  • DC - DC转换器
  • 便携式应用,如数码相机(DSC)、个人数字助理(PDA)、手机等。

数据手册PDF