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HSSN2N7002K
N沟道60V快速开关MOSFET
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- 描述
- 产品材料符合RoHS要求且无卤素。具备ESD保护，低RDS(on)。适用于低侧负载开关、电平转换电路，是DC-DC转换器，可用于便携式应用，如DSC、PDA、手机等。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSSN2N7002K
- 商品编号
- C51025821
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028819克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.8Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 500pC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 18pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.2pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 8pF |
商品概述
产品材料符合RoHS标准且无卤素。具备ESD保护，低导通电阻RDS(on)。
应用领域
- 低端负载开关
- 电平转换电路
- DC-DC转换器
- 便携式应用，如数码相机、个人数字助理、手机等