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LPM3406B3F
1个N沟道 耐压:30V 电流:3.6A
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- 描述
- LPM3406 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度 DMOS 沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用、笔记本电脑电源管理以及其他需要高端开关的电池供电电路
- 品牌名称
- LOWPOWER(微源半导体)
- 商品型号
- LPM3406B3F
- 商品编号
- C517188
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@10V,3.6A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 180pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 非常适合高频开关和同步整流。
- 针对DC/DC转换器优化的技术
- 出色的栅极电荷×漏源导通电阻乘积（品质因数）
- 极低的漏源导通电阻
- 卓越的热阻
- N沟道、逻辑电平
- 100%经过雪崩测试
- 无铅镀层；符合RoHS标准
- 针对目标应用通过JEDEC认证
- 根据IEC61249-2-21标准无卤
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