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LPM9021QVF
1个P沟道 耐压:12V 电流:6.5A
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- 描述
- LPM9021是P沟道增强型MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）。它采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC - DC转换、电源开关和充电电路
- 品牌名称
- LOWPOWER(微源半导体)
- 商品型号
- LPM9021QVF
- 商品编号
- C517263
- 商品封装
- DFN2x2-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.043克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@4.5V,5.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.9W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 520mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.97nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 195pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
LPM9021是P沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品LPM9021QVF为无铅、无卤产品。
商品特性
- 沟槽技术
- 超高密度单元设计
- 出色的导通电阻，适用于更高的直流电流
- 极低的阈值电压
- 小型DFN2*2-6L封装
应用领域
- 继电器、螺线管、电机、LED等的驱动器-DC-DC转换电路-电源开关-负载开关-充电
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