LPM3414B3F
LPM3414B3F
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- LOWPOWER(微源半导体)
- 商品型号
- LPM3414B3F
- 商品编号
- C517189
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 436pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 44pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些 N 沟道增强型场效应晶体管采用安森美半导体专有的高单元密度 DMOS 技术制造。这些产品旨在最小化导通电阻，同时提供坚固、可靠和快速的开关性能。这些产品特别适用于低电压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率 MOSFET 栅极驱动器和其他开关应用。
商品特性
- 栅源电压 (VGS) = 4.5 V 时，漏源导通电阻 (RDS(ON)) = 10 欧姆
- 0.17 A、100 V，栅源电压 (VGS) = 10 V 时，漏源导通电阻 (RDS(ON)) = 6 欧姆
- 高密度单元设计，实现极低的漏源导通电阻 (RDS(ON))
- 坚固可靠
- 紧凑的行业标准 SOT - 23 表面贴装封装
应用领域
-小型伺服电机控制-功率 MOSFET 栅极驱动器-其他开关应用
相似推荐
其他推荐