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LPM4953SOF
双P沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- LPM4953集成了两个P沟道增强型MOSFET晶体管。它采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路
- 品牌名称
- LOWPOWER(微源半导体)
- 商品型号
- LPM4953SOF
- 商品编号
- C517129
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.145克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 15V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 528pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF@15V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
LPM4953集成了两个P沟道增强型MOSFET晶体管。它采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品LPM4953无铅且无卤素。
商品特性
- 沟槽技术
- PMOS：VDS = -15 V
- RDS(ON) < 65 mΩ，ID = 3.6 A（VGS = -4.5 V时）
- RDS(ON) < 42 mΩ，ID = 5 A（VGS = -10 V时）
- 超高密度单元设计
- 极低阈值电压
- 小封装SOP-8
应用领域
- 继电器、螺线管、电机、LED等的驱动器
- DC-DC转换电路
- 电源开关
- 负载开关
- 充电