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IRFR24N15DTRPBF
1个N沟道 耐压:150V 电流:24A
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- 描述
- 特性：低栅极到漏极电荷，可降低开关损耗。 完全表征的电容，包括有效输出电容Coss，简化设计。 完全表征的雪崩电压和电流。 无铅。应用：高频DC-DC转换器
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRFR24N15DTRPBF
- 商品编号
- C513167
- 商品封装
- DPAK(TO-252AA)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 95mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 140W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC | |
| 输入电容(Ciss) | 890pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 46pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款HEXFET功率MOSFET专为等离子显示屏（PDP）的维持、能量回收和通路开关应用而设计。该MOSFET采用了最新的工艺技术，以实现单位硅面积的低导通电阻和低脉冲能量额定值。这款MOSFET的其他特性包括175℃的工作结温和高重复峰值电流能力。这些特性相结合，使该MOSFET成为PDP驱动应用中高效、耐用且可靠的器件。
商品特性
- 低栅极至漏极电荷,可降低开关损耗
- 完整表征的电容,包括有效 COSS,简化设计
- 完整表征的雪崩电压和电流
- 无铅
应用领域
- 高频 DC-DC 转换器