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IRF9952TRPBF
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:3.5A 2.3A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF9952TRPBF
- 商品编号
- C513186
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.116克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A；2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V,2.2A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 190pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
国际整流器公司（International Rectifier）的第五代HEXFET采用先进的加工技术，实现了单位硅面积极低的导通电阻。这一优势，结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计师提供了一种极其高效可靠的器件，可用于各种应用。 SO - 8封装通过定制引线框架进行了改进，以增强热特性和多芯片封装能力，使其非常适合各种功率应用。通过这些改进，在应用中使用多个器件时可大幅减少电路板空间。该封装适用于气相、红外或波峰焊接技术。
商品特性
- 超低导通电阻
- 双N沟道和P沟道MOSFET
- 表面贴装
- 极低的栅极电荷和开关损耗
- 具备完整雪崩额定值
- 无铅