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IRL540NSTRLPBF
1个N沟道 耐压:100V 电流:36A
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- 描述
- 第五代 HEXFET 功率场效应晶体管采用先进的工艺技术，以实现单位硅片面积极低的导通电阻。这一优势，再结合 HEXFET 功率 MOSFET 闻名的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件，适用于各种应用场景。D2Pak 是一种表面贴装功率封装，能够容纳尺寸达 HEX - 4 的芯片
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRL540NSTRLPBF
- 商品编号
- C513158
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.65克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 44mΩ@10V,18A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.8W；140W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 74nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
优惠活动
购买数量
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起订量：1 个800个/圆盘
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