温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 340W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 173nC@48V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.033nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 546pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- P沟道
- 增强型
- 雪崩额定值
- dv/dt额定值
- 工作温度达175°C
- 无铅引脚镀层:符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
- 根据AEC Q101标准认证合格