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IRLZ34NPBF
1个N沟道 耐压:55V 电流:30A
- 描述
- 第五代HEXFET采用先进的加工技术，以实现单位硅片面积尽可能低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效的器件，可用于各种应用。对于所有功率耗散水平约达50瓦的商业和工业应用，TO - 220封装是普遍首选
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRLZ34NPBF
- 商品编号
- C513144
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.86克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 46mΩ@5.0V,16A | |
| 耗散功率(Pd) | 68W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC | |
| 输入电容(Ciss) | 880pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 94pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
国际整流器公司（International Rectifier）的第五代HEXFET采用先进的加工技术，以实现单位硅面积尽可能低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效的器件，可用于各种应用。 TO - 220封装在功率耗散水平约达50瓦的所有商业 - 工业应用中普遍受到青睐。TO - 220的低热阻和低封装成本使其在整个行业得到广泛认可。
商品特性
- 先进的工艺技术
- 动态dv/dt额定值
- 175°C工作温度
- 快速开关
- 全雪崩额定
- 无铅