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HSU4903
1个N沟道+1个P沟道 耐压:40V 电流:23A
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- 描述
- HSU4903 是具有高单元密度的高性能互补 N 沟道和 P 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSU4903 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100% 保证符合 EAS 标准，并通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSU4903
- 商品编号
- C508801
- 商品封装
- TO-252-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.368克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 23A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V,23A | |
| 耗散功率(Pd) | 25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 593pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 56pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 共源 |
商品概述
HSU4903是高性能互补N沟道和P沟道MOSFET，具有高单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSU4903符合RoHS和绿色产品要求，100%通过功能可靠性认证，确保符合EAS标准。
商品特性
~~- 提供绿色环保器件-超低栅极电荷-出色的Cdv/dt效应抑制-先进的高单元密度沟槽技术