温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HSP6016
1个N沟道 耐压:60V 电流:60A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- HSP6016是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSP6016符合RoHS和绿色产品要求，100%经过耐雪崩能力（EAS）测试，且通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSP6016
- 商品编号
- C508810
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.76克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V,60A | |
| 耗散功率(Pd) | 86.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.24nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 146pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
HSP6016是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSP6016符合RoHS和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，且通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 超低栅极电荷
- 100%雪崩能量耐量（EAS）保证
- 提供绿色环保器件
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术