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HSBA0048
1个N沟道 耐压:100V 电流:78A
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- 描述
- HSBA0048是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数AC/DC快充同步整流应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷特性。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSBA0048
- 商品编号
- C508832
- 商品封装
- PRPAK5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.125克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 78A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.6mΩ@10V,13.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 108W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.32nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CJQ60P05采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -60V，漏极电流（ID） = -5A
- 栅源电压（VGS） = -10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 80 mΩ
- 高密度单元设计，实现超低漏源导通电阻（RDS(ON)）
- 雪崩电压和电流特性全面
- 出色的封装，散热性能良好
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 直流-直流转换器