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HSBE2730
2个N沟道 耐压:20V 电流:7A
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- 描述
- HSBE2730是具有强大静电放电（ESD）保护功能的低导通电阻（RDSON）沟槽型N沟道MOSFET。该产品适用于锂离子电池组应用。HSBE2730符合RoHS标准和绿色产品要求，且通过了全功能可靠性认证
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSBE2730
- 商品编号
- C508837
- 商品封装
- PRPAK-EP(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@4.5V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.47W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.86nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 81pF@16V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
HSBE2730是具有强大静电放电（ESD）保护功能的低导通电阻（RDSON）沟槽型N沟道MOSFET。该产品适用于锂离子电池组应用。 HSBE2730符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 低漏源导通电阻
- 提供绿色环保器件
- 内置ESD保护
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