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HSBA3052
1个N沟道 耐压:30V 电流:52A
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- 描述
- HSBA3052是高单元密度沟槽式MOSFET，可为DC/DC转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSBA3052符合RoHS和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力（EAS），并通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSBA3052
- 商品编号
- C508835
- 商品封装
- PRPAK5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.122克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 52A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.9mΩ@4.5V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 24W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 814pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 41pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
HSBA3052是高单元密度沟槽MOSFET，可为DC/DC转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSBA3052符合RoHS和绿色产品要求，100%经过雪崩耐量（EAS）测试，具备完整的功能可靠性认证。
商品特性
~~- 提供绿色环保器件-超低栅极电荷-低导通电阻RDS(ON)-先进的高单元密度沟槽技术