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HSBA3052
1个N沟道 耐压:30V 电流:52A
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- 描述
- HSBA3052是高单元密度沟槽式MOSFET，可为DC/DC转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSBA3052符合RoHS和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力（EAS），并通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSBA3052
- 商品编号
- C508835
- 商品封装
- PRPAK5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.122克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 52A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.9mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 24W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 814pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 41pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
HSBA3052是高单元密度SGT MOSFET，为DC/DC转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSBA3052符合RoHS和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力（EAS），并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 100%保证具有抗雪崩能力（EAS）
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 低导通电阻（RDS(ON)）
- 先进的高单元密度SGT MOS技术
- HSCC8204
- HSBE2730
- 22FLT-SM2-TB(LF)(SN)
- C0603C0G1H030CT00NN
- C1005X7R1H471KT000F
- C1608C0G2E121JT000N
- C1608X7R1C334KT000N
- C2012C0G1H472JT000N
- C2012X7R1E334KT0J0N
- C2012X7R1H225KT000S
- C2012X7R1H471KT000N
- C3216C0G2A472JT000N
- C3216X7R1H225KT000S
- C3225X5R1H475KT000E
- C7563X7S1C107MT009S
- C7563X7S1H226MT009S
- CGA2B2X7R1C473KT0Y0F
- CK45-E3AD103MYVNA
- CK45-R3AD102K-NRYC
- CK45-R3AD472K-NRAN
- CS5513-BSZR