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HSBB2627
1个P沟道 耐压:20V 电流:48A
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- 描述
- HSBB2627是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSBB2627符合RoHS标准和绿色产品要求，且通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSBB2627
- 商品编号
- C508819
- 商品封装
- PRPAK3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.055克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 48A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@4.5V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 29W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.783nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 431pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
HSBB2627是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSBB2627符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
~~- 超低栅极电荷-提供绿色环保器件-出色的Cdv/dt效应抑制-先进的高单元密度沟槽技术