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HSP0115
1个P沟道 耐压:100V 电流:23A
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- 描述
- HSP0115采用先进的沟槽MOSFET技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷，适用于各种其他应用。HSP0115符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过EAS测试，具备完整的功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSP0115
- 商品编号
- C508808
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.785克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 23A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 95mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 96W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 44.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.029nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 76pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
HSP0115采用先进的沟槽MOSFET技术，可提供出色的RDS(ON)和栅极电荷，适用于各种其他应用。 HSP0115符合RoHS和绿色产品要求，100%通过EAS测试，具备完整的功能可靠性认证。
商品特性
~~- 提供绿色环保器件-超低栅极电荷-出色的Cdv/dt效应抑制-先进的高单元密度沟槽技术