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HSP0139
1个P沟道 耐压:100V 电流:35A
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- 描述
- HSP0139采用先进的沟槽式MOSFET技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷，适用于各种其他应用。HSP0139符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩耐量（EAS）测试，并通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSP0139
- 商品编号
- C508809
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.813克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 104W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 92nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.516nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 125pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
HSP0139采用先进的沟槽MOSFET技术，为广泛的其他应用提供出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷。HSP0139符合RoHS和绿色产品要求，100%保证耐雪崩能力，并通过全功能可靠性认证。
商品特性
- 100%保证耐雪崩能力
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术