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HSP18N20
1个N沟道 耐压:200V 电流:18A
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- 描述
- HSP18N20是高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSP18N20符合RoHS和绿色产品要求，100%保证具备抗雪崩能力，并通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSP18N20
- 商品编号
- C508807
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@10V,9A | |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.047nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
HSP18N20是高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSP18N20符合RoHS和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力（EAS），并通过了全功能可靠性认证。 超低栅极电荷
- 提供绿色环保器件 出色的Cdv/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术
商品特性
~~- 超低栅极电荷-提供绿色环保器件-出色的Cdv/dt效应抑制-先进的高单元密度沟槽技术