温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HSP0016
1个N沟道 耐压:100V 电流:27A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- HSP0016 是高单元密度的沟槽型 N 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSP0016 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100%经过 EAS 测试，且通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSP0016
- 商品编号
- C508805
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.71克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 27A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 47mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 87W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
HSP0016 是高单元密度沟槽型 N 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSP0016 符合 RoHS 和绿色产品要求，100%经过 EAS 测试，具备完整的功能可靠性认证。
商品特性
~~- 超低栅极电荷-出色的 Cdv/dt 效应抑制-提供绿色环保器件-采用先进的高单元密度沟槽技术